سنسور فشار نیمه هادی که معمولا استفاده می شود از ویفر سیلیکونی نوع N به عنوان بستر استفاده می کند. در مرحله اول، ویفر سیلیکونی به یک قسمت کشسان با هندسه خاص تبدیل می شود. در قسمت تحمل‌کننده تنش ویفر سیلیکونی، چهار مقاومت انتشار نوع P در جهت‌های مختلف کریستالی ساخته می‌شود و سپس یک پل ویتستون چهار بازویی با این چهار مقاومت تشکیل می‌شود. تحت تأثیر نیروی خارجی، تغییرات مقادیر مقاومت به سیگنال های الکتریکی تبدیل می شود. این پل گندم با اثر فشار، قلب سنسور فشار است که معمولاً به آن پل پیزورزیستیو می گویند (همانطور که در شکل 1 نشان داده شده است). ویژگی های پل پیزورزیستیو به شرح زیر است: ① مقادیر مقاومت چهار بازوی پل برابر است (همه r0). ② اثر پیزومقاومتی بازوهای مجاور پل از نظر مقدار برابر و در علامت مخالف است. ③ ضریب دمای مقاومت چهار بازوی پل یکسان است و آنها همیشه در همان دما هستند. در شکل 1، R0 مقدار مقاومت بدون تنش در دمای اتاق است. RT تغییر ناشی از ضریب دمایی مقاومت (α) هنگام تغییر دما است. Υ Rδ تغییر مقاومت ناشی از کرنش (ε) است. ولتاژ خروجی پل u=I0 Δ Rδ=I0RGδ (پل منبع جریان ثابت) است.

جایی که I0 جریان منبع جریان ثابت و e ولتاژ منبع ولتاژ ثابت است. ولتاژ خروجی پل پیزورمقاومتی مستقیماً با کرنش (ε) متناسب است و ربطی به RT ناشی از ضریب دمایی مقاومت ندارد که باعث کاهش شدید رانش دمای سنسور می شود. پرکاربردترین سنسور فشار نیمه هادی سنسوری برای تشخیص فشار سیال است. ساختار اصلی آن یک کپسول ساخته شده از سیلیکون تک کریستالی است (همانطور که در شکل 2 نشان داده شده است). دیافراگم را به صورت فنجان در می آورند و ته فنجان قسمتی است که نیروی خارجی را تحمل می کند و پل فشار روی کف فنجان ساخته می شود. پایه حلقه از همان مواد تک کریستال سیلیکونی ساخته شده است و سپس دیافراگم به پایه چسبانده می شود. این نوع سنسور فشار دارای مزایای حساسیت بالا، حجم کم و استحکام است و به طور گسترده در حمل و نقل هوایی، ناوبری فضایی، ابزار اتوماسیون و ابزار پزشکی استفاده می شود.